特許
J-GLOBAL ID：200903035176779849

集積回路薄膜トランジスタデバイスの製造方法

発明者：
ゼナン バオー

ゼナン バオー について


出願人/特許権者：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド

ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三俣 弘文 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053546
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324931
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 優れたトランジスタ性能を示し、かつ、特別な製造方法又は特別なトランジスタ構造の何れも不要なフルオレン系有機半導体材料を提供する。【解決手段】 前記課題は、半導体層が、2000未満の分子量を有し、かつ1〜10個のフルオレン環ユニットからなるフルオレンオリゴマーである薄膜トランジスタデバイスにより解決される。これらのオリゴマーは簡単な蒸着により堆積させ、例えば、高移動度などのような所望の半導体特性を得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された複数個の薄膜電界効果トランジスタからなり、前記複数個の薄膜電界効果トランジスタは各々、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と有機半導体活性層とからなる、集積回路薄膜トランジスタデバイスの製造方法において、前記有機半導体活性層は、前記基板上にフルオレンオリゴマーの薄膜を蒸着させることにより形成され、前記フルオレンオリゴマーは、2000未満の分子量を有し、かつ、1個〜10個のフルオレン環ユニットから構成されている、ことを特徴とする集積回路薄膜トランジスタデバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 51/00 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B
Fターム (25件)：
5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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