特許
J-GLOBAL ID：200903035181705519
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045862
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 剥離用のイオン注入層を形成する際のイオン注入を低ドーズ量で済ませながらも剥離を可能とする。【解決手段】 単結晶シリコン基板からなる貼合せ基板15の表面部に、1チップに対応した領域毎に区画するような形態で縦横に延び、イオン注入層17よりも深い深さ寸法で且つ貼合せ基板15の周縁端部にて開放しない溝部16を形成する。この貼合せ基板15に対して水素ガスをイオン化して注入し、所定深さに剥離用のイオン注入層17を形成する。次に、予め絶縁膜13が形成されたベース基板12に、貼合せ基板15を貼合わせる。このとき、溝部16により密閉状態の中空部18が形成される。この後、熱処理により、貼合せ基板15をイオン注入層17にて切り離す剥離工程が実行され、このとき、中空部18内の空気が熱膨脹し剥離を助長する力となる。
請求項（抜粋）：
ベース基板(12)上に、絶縁膜(13)を介して素子形成用の単結晶半導体層(14)を設けてなる半導体基板(11)を製造するための方法であって、単結晶半導体からなる貼合せ基板(15)の表面部の所定深さにイオン注入を行うことにより、該貼合せ基板(15)の表層部に単結晶半導体層(14)となるべき単結晶薄膜層(15a)を確保した状態に剥離用のイオン注入層(17)を形成するイオン注入層形成工程(P2)と、前記ベース基板(12)に対し、前記単結晶薄膜層(15a)が形成された貼合せ基板(15)をその単結晶薄膜層(15a)の表面にて絶縁膜(13)を介して貼合わせる貼合せ工程(P3)と、前記ベース基板(12)上に貼合わされた貼合せ基板(15)を熱処理により前記イオン注入層(17)にて切離す剥離工程(P4)とを含むと共に、前記ベース基板(12)と貼合せ基板(15)との貼合せ状態において、それらベース基板(12)と貼合せ基板(15)との間に、密閉状態の中空部(18)が前記単結晶薄膜層(15a)及びイオン注入層(17)を部分的に除去した形態に形成されていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 E
