特許
J-GLOBAL ID：200903035182488708

多層配線基板及びその製造方法

発明者：
木村 哲也

木村 哲也 について

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國分 正也

國分 正也 について

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民 保秀

民 保秀 について

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川井 信也

川井 信也 について

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永江 謙一

永江 謙一 について

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林 桂

林 桂 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160752
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339166
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】ガラスセラミックスを絶縁基板とし、配線回路層が金属箔からなる多層配線基板において、安定的に平面方向の収縮を制御できる多層配線基板とその製造方法を提供する。【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基板2と、絶縁基板2の表面及び/または内部に形成された配線回路層3とを具備する配線基板であって、配線回路層3が、金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体の金属箔からなり、且つ絶縁基板2の表面に形成される配線回路層3は、絶縁基板2と接しない側の表面粗さをRzで1〜8μmとすることによって、拘束シートによって収縮を抑制しながら焼成するにあたって、配線回路層3の有無に係わらず、拘束性を均一化することができる。
請求項（抜粋）：
ガラスセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び/または内部に形成された配線回路層とを具備する配線基板であって、該配線回路層が、金属成分の含有量が99.5重量%以上の高純度金属導体の金属箔からなり、且つ該絶縁基板の表面に形成される配線回路層は、絶縁基板と接しない側の表面粗さがRzで1〜8μmであることを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/09
FI (4件)：
H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H ,  H05K 1/09 A ,  H01L 23/12 C
Fターム (52件)：
4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB24 ,  4E351BB30 ,  4E351BB42 ,  4E351CC17 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD10 ,  4E351DD20 ,  4E351DD54 ,  4E351DD55 ,  4E351GG01 ,  5E346AA02 ,  5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA29 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346CC40 ,  5E346CC42 ,  5E346CC53 ,  5E346DD01 ,  5E346DD13 ,  5E346EE12 ,  5E346EE13 ,  5E346EE23 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346EE29 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346FF23 ,  5E346FF27 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG15 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346GG40 ,  5E346HH08 ,  5E346HH11 ,  5E346HH26
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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