特許
J-GLOBAL ID：200903035187083382
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351124
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186308
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 ハンダバンプを形成する従来の半導体装置の製造方法は、アルミニウム系の配線電極とチタン膜とが接合され、高い密着力が得られる反面、電気抵抗が高くなるといった課題があった。またバリア層としてクロムが用いられると電気抵抗が高く、さらに毒性が高いことから回収や廃棄が面倒であった。【解決手段】 半導体基板101上に第1絶縁膜102、配線電極103及び接続孔105を形成した第2絶縁膜104を積層する。そして接続孔105内で露出している配線電極103及び第2絶縁膜104上に窒素を含有した第1と第2導電膜106a,107aとを積層する。そして接続孔105領域以外の第1と第2導電膜106a,107aを除去し、接続孔105内の第2導電膜107a上にハンダバンプ109を形成する。
請求項（抜粋）：
(1)半導体基板上の第1絶縁膜上に配線電極を形成する工程と、(2)前記第1絶縁膜上及び配線電極上に第2絶縁膜を形成する工程と、(3)前記第2絶縁膜に配線電極を露出させる接続孔を形成する工程と、(4)前記接続孔内で露出している配線電極上及び第2絶縁膜上に窒素を含有した第1導電膜を形成する工程と、(5)前記第1導電膜上に窒素を含有した第2導電膜を形成する工程と、(6)前記第1導電膜及び第2導電膜の接続孔領域以外を除去する工程と、(7)前記残された第2導電膜上にハンダバンプを形成する工程と、を有し、(1)から(7)の順序で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 N
, H01L 21/92 603 E
, H01L 21/92 604 Q
