プラズマCVD装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂間暁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021691
公開番号（公開出願番号）：特開平8-218176
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【目的】反応容器(1)内で放電用電極(2)と対向して基板(12)を配置し、放電用電極(2)からグロー放電プラズマを発生させて基板(12)上に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、成膜速度を増すとともに、薄膜の品質を向上させること。【構成】ガス混合器(4)とアースシールド(3)を一体化すると共に、アースシールド(3)と放電用電極(2)の隙間から反応ガスを導入する。放電用電極(2)の基板(12)側で高密度のプラズマが発生し、基板(12)と対向しない側での放電が抑えられるので、プラズマ内での粉発生を抑制でき、高速・高品質の成膜形成ができる。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された複数本の線材からなる梯子状の平面型放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反応容器内で上記放電用電極に対向して設置された基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、上記放電用電極の上記基板に対向していない部分をアースシールド板に間隔を保って埋込むとともに、上記アースシールド板の上記放電用電極と対向する面にガス吹出し孔を開口させ、そのガス吹出し孔から上記放電用電極と上記アースシールド板との間隙を経て上記反応容器内に反応ガスを供給するようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 H , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-128665 出願人：三菱重工業株式会社
特開平4-236781

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