特許
J-GLOBAL ID：200903035194294151
ショットキゲート型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-008268
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021101
出願日： 1991年01月28日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【構成】半絶縁性半導体基板の一主面に動作層が形成され、前記動作層にリセスが形成され、前記リセス領域にゲート電極が形成され、前記リセスの外側に高濃度オーミック層を隔ててソース電極およびドレイン電極が形成されたショットキゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記リセス領域に高さ50〜100nm、幅0.1〜0.3μmの凸部を有することを特徴とするショットキゲート型電界効果トランジスタ。【効果】ゲート電極とドレイン電極との間のリセス領域に凸部を設けた。その結果、疑似的にリセス幅を短くして高出力化が可能になり、電極間隔を拡げることにより高耐圧化が可能になった。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板の一主面に動作層が形成され、前記動作層にリセスが形成され、前記リセス領域にゲート電極が形成され、前記リセスの外側に高濃度オーミック層を隔ててソース電極およびドレイン電極が形成されたショットキゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記リセス領域に高さ50〜100nm、幅0.1〜0.3μmの凸部を有することを特徴とするショットキゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
