特許
J-GLOBAL ID：200903035206161020
半導体装置および半導体装置の面取り方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147111
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335594
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 装置の製造時の歩留りや長期信頼性が高く、コストの安い半導体装置および半導体装置の面取り方法を提供する。【構成】 半導体素子3の両側にシリコンウェハ4を配設固定し、このシリコンウェハ4の角部6に異方性エッチングによりエッチング速度の遅い結晶面を斜面として露出させ、このエッチング斜面10を面取り面として形成してシリコンウェハ4の角部6を結晶斜面により構成し、その後に、等方性エッチングを施してシリコンウェハ4の稜線部11に丸みをつける。
請求項（抜粋）：
半導体素子の片側又は両側に保護基板が配設固定されている半導体装置において、保護基板の角部は異方性エッチングにより形成されたエッチング速度の遅い結晶斜面によって構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 301
, C23F 1/00
, C23F 1/08
