カーボン系薄膜除去方法及び表面改質方法並びにそれらの処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158594
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347241
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】窒素ガス原子を含んだ活性窒化種により、レジストなどのカーボン系薄膜を除去する方法及びレジストに隣接した層の表面窒化を行う表面改質方法、並びに、これらに用いる処理装置を提供する。【解決手段】チャンバ2を真空排気する手段7と、チャンバ2内に被加工層を有する基板8を保持する手段9と、基板を加熱する手段10と、チャンバ2内に取り付けられた高融点材料3と、チャンバ2外部より高融点材料3を抵抗加熱する電源4と、チャンバ2内に窒素原子を含んだガス分子5を所定の圧力で導入するガス導入手段6により、窒素ガス原子を含んだ活性窒化種18を発生させる処理装置1を用い、活性窒化種を用いてレジストなどのカーボン系薄膜付き基板のレジストを除去するか、絶縁層を表面窒化するか、または、レジストなどのカーボン系薄膜を付着させた層の表面窒化を行って表面改質を行う。

請求項（抜粋）：

窒素原子を含んだ活性窒素種により、レジストなどのカーボン系薄膜を除去することを特徴とするカーボン系薄膜の除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 201 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/302 201 A , G03F 7/42 , H01L 21/318 A , H01L 21/30 572 A

Fターム (17件)：

2H096AA25 , 2H096LA06 , 5F004BA19 , 5F004BB26 , 5F004BB32 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DB26 , 5F004EA34 , 5F004FA02 , 5F046MA11 , 5F046MA13 , 5F058BC08 , 5F058BD03 , 5F058BD09 , 5F058BF64 , 5F058BG03

引用特許：

審査官引用 (10件)

ボトムゲート薄膜トランジスタとその製造方法およびエッチング装置と窒化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-339964 出願人：松下電器産業株式会社
アッシング方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-228534 出願人：株式会社東芝
表面処理方法及び表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-387323 出願人：セイコーエプソン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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