特許
J-GLOBAL ID：200903035218803672
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014334
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232248
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 フィールド酸化膜と素子分離溝とを合わせた絶縁分離領域の製造に関し,バーズピークが小さくかつ平坦に形成することを目的とする。【構成】 半導体基板1表面を酸化用マスク3を用いて選択的に酸化して形成したフィールド酸化膜4を貫通して半導体基板1表面を堀り込み素子分離溝5を形成する工程と,酸化用マスク3を用いた選択酸化により,素子分離溝5表面に熱酸化膜6を形成する工程と,熱酸化膜6及び酸化用マスク3を覆い半導体基板1上に耐酸化膜7を堆積する工程と,次いで,素子分離溝5を埋め込みポリシリコン層8を堆積し,フィールド酸化膜4上の耐酸化膜7を表出するまでポリシリコン層8を除去する工程と,素子形成領域上に残留するポリシリコン8aを除去する工程と,素子分離溝5を埋め込むポリシリコンの表面を酸化して素子分離溝5の開口部を塞ぐキャップ9を形成する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)表面を酸化用マスク(3)を用いて選択的に酸化しフィールド酸化膜(4)を形成する工程と,該フィールド酸化膜(4)を貫通して該半導体基板(1)表面を堀り込み素子分離溝(5)を形成する工程と,該酸化用マスク(3)を用いた選択酸化により,該素子分離溝(5)の表面に熱酸化膜(6)を形成する工程と,該熱酸化膜(6)及び該酸化用マスク(3)を覆い該半導体基板(1)上に耐酸化膜(7)を堆積する工程と,次いで,該半導体基板(1)上に該素子分離溝(5)を埋め込みポリシリコン層(8)を堆積する工程と,該フィールド酸化膜(4)上の該耐酸化膜(7)を表出するまで該半導体基板(1)表面と略平行に該ポリシリコン層(8)を除去する工程と,次いで,エッチングにより該フィールド酸化膜(4)及び該素子分離溝(5)が形成されていない領域上に残留するポリシリコン(8a)を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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