特許

J-GLOBAL ID：200903035219861242

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 康仁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196391
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 アセンブリ工程において、工程数を増やすことなく、生産効率を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 2枚のリードフレーム1の後工程でチップ2をダイボンドする主面を外側にして、その間に耐熱シート又はフィルム5を挟み込んで、リードフレーム1の枠の部分をスポット溶接するか、または圧力によりカシメることによってを重ね合わせて、2枚重ねのリードフレーム7を形成する。2枚重ねのリードフレーム7の両面に、ダイボンド、ワイヤボンド、樹脂モールドの工程を順に行った後、2枚のリードフレーム1を1枚ずつに分離する。

請求項（抜粋）：

2枚のリードフレームを、上記リードフレームの主面を外側にして、その間にフィルム又はシートを挟んで重ね合わせ、接合する工程と、上記接合した2枚のリードフレームの両主面に、チップをそれぞれダイボンドする工程と、上記接合した2枚のリードフレームの両主面に、それぞれワイヤボンドする工程と、上記接合した2枚のリードフレームの両主面に、それぞれモールド金型を設置して樹脂モールドする工程と、上記接合した2枚のリードフレームを分離する工程と、を備えるようにした半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/50 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/50

FI (6件)：

H01L 21/50 B ,  H01L 21/50 G ,  H01L 21/52 C ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/50 W

Fターム (11件)：

5F044AA01 ,  5F044JJ03 ,  5F047AA11 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD13 ,  5F067AA02 ,  5F067CB06 ,  5F067DA07 ,  5F067DE01