特許

J-GLOBAL ID：200903035221800994

半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置

発明者： 山本 敦史 ,  高森 益教
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072870
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281832
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】半導体製造装置内での半導体基板の搬送中に、半導体基板に対して成膜、エッチングなどの処理を行う処理チャンバーの雰囲気から半導体基板に付着する異物を抑制(低減)できる半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置内で、半導体基板30をチャンバー1,2,3間で搬出入させるに際し、共通搬送チャンバー2の圧力よりも処理チャンバー3の圧力の方が低くなった時、当該チャンバー2,3間で半導体基板30の搬出入を行う。半導体装置内での半導体基板30の搬送時、若しくは処理チャンバー3内での半導体基板30の処理時に異物付着を低減でき、加工不良や突発的に発生する異物増加を抑えることができる。処理安定性も向上し、品質の良い半導体基板30を処理・製造することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を処理する1ないし複数の処理チャンバーと、これらの処理チャンバーに半導体基板を搬出入可能にする共通搬送チャンバーと、この共通搬送チャンバーに接続されて外部との間で半導体基板を搬出入させるためのロードロックチャンバーを有し、これらのチャンバーに対応してそれぞれ、内部の圧力評価装置と、流量を制御されたガスをチャンバー内部に導入できるガス導入装置を設置した半導体製造装置内で、半導体基板を各チャンバー間で搬出入させる方法において、共通搬送チャンバーの圧力よりも処理チャンバーの圧力の方が低くなった時、当該チャンバー間で半導体基板の搬出入を行うことを特徴とする半導体製造装置内での半導体基板搬送方法。

IPC (5件)：

H01L21/02 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68

FI (5件)：

H01L21/02 Z ,  C23C14/56 G ,  C23C16/44 F ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 A

Fターム (28件)：

4K029KA01 ,  4K029KA05 ,  4K029KA09 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030JA09 ,  4K030KA28 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031JA47 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031NA09 ,  5F031NA17 ,  5F031PA04 ,  5F031PA26 ,  5F045AA08 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EB12 ,  5F045EN04 ,  5F045GB06