特許

J-GLOBAL ID：200903035223523890

軟磁性薄膜

発明者： 庄子 光治 ,  香取 健二 ,  大森 広之 ,  林 和彦 ,  阿蘇 興一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206051
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047552
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 高温での熱処理後にも低い保磁力を示し、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。【構成】 Feベース軟磁性薄膜に、適量の酸素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、酸素の導入量は、30原子%以下とする。Feベース軟磁性薄膜は、Fe単独からなるものであってもよいし、FeにSi、Al、Ti、Ta、Nb、Ga、V、W、Yから選ばれた少なくとも1種を添加したものであってもよい。

請求項（抜粋）：

(Fea Mb )100-x Ox 〔ただし、MはSi、Al、Ti、Ta、Nb、Ga、V、W、Yより選ばれた少なくとも1種を表し、a,b,xは各元素の割合(原子%)を表す。〕なる組成式で表され、その組成範囲が70≦a≦1000≦b≦300≦x≦30a+b=100であるとともに、平均結晶粒径が600Å以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 41/18