投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347239
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】露光光吸収によるレンズの熱的変化に伴う光学特性を補正し、高解像度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの周辺部を加熱する加熱手段と該加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを利用して該レンズの温度分布を制御したこと。

請求項（抜粋）：

第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの周辺部を加熱する加熱手段と該加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを利用して該レンズの温度分布を制御したことを特徴とする投影露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 H

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