特許

J-GLOBAL ID：200903035236093402

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 神谷 武志 ,  豊田 和弘
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122493
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316515
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 生産性が高く、かつ、高価な真空蒸着設備等を要せず、充分に発達した銅-インジウム-セレン三元合金結晶を有する薄膜太陽電池を製造する方法を提供する。【構成】 銅イオン(Cu2+)及びセレンイオン(Se4+)を含む溶液を用いて銅-セレン層を導電性基板上にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン(In2+)及びセレンイオン(Se4+)を含む溶液を用いてインジウム-セレン層をメッキ法によって形成してプリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処理する。

請求項（抜粋）：

銅イオン(Cu2+)及びセレンイオン(Se4+)を含む溶液を用いて銅-セレン層を導電性基板上にメッキ法によって形成し、次いで、インジウムイオン(In2+)及びセレンイオン(Se4+)を含む溶液を用いてインジウム-セレン層をメッキ法によって形成してプリカーサーを完成し、その後このプリカーサーを熱処理することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/288 E