特許
J-GLOBAL ID：200903035241358910
FET低雑音増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282506
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121967
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】入力信号レベルが大きく変動しても、混変調歪の発生を最小限に防止して最適なD/U比を得る。【構成】レベル検出回路2は、入力信号Siを増幅するFET1の出力信号レベルを検出する。ドレイン電流制御回路3は、レベル検出回路2の検出レベルが所定値よりも低いとき、つまり入力信号Siのレベルが低いとき、FET1の雑音指数が最小となるドレイン電流に設定する。また、レベル検出回路2の検出レベルが所定値よりも高くなると、つまり入力信号Siのレベルが増大するにつれて、混変調歪が最小となる方向にドレイン電流を増大させる。
請求項（抜粋）：
入力信号を増幅するFETと、このFETの出力信号レベルを検出するレベル検出回路と、前記出力信号レベルに応じて前記FETの動作点を制御する制御回路とを備え、この制御回路は、前記出力信号レベルが所定値よりも低いときは前記FETの雑音指数が最小となる動作点に設定し、また、前記出力信号レベルが所定値よりも高くなるにつれて、混変調歪が最小となる方向に動作点を移動させることを特徴とするFET低雑音増幅器。
IPC (4件)：
H03F 3/193
, H03F 1/26
, H03F 1/32
, H03F 3/60
