熱電変換素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105447
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293906
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】高温側温度を高くして温度差を大きくして発電効率の向上を図るとともに、経時的劣化を防ぐこと。【解決手段】 Bi-TeまたはPb-Te系のP形またはN形の導電形式を有する半導体の一端部と、それらに接続されるCu電極との間に、Al,MgおよびTiから成るグループのうちの1またはそれらの合金である介在層6,7;14,15を設ける。さらにこの介在層と電極5との間に、高温半田または硬ロウから成る接合層16,17を設けてもよく、さらに濡れ性のよいCu,Ag,AuおよびMgから成るグループのうちの1つまたはそれらの合金から成る中間層18,19を介在する構成であってもよい。

請求項（抜粋）：

P形導電形式またはN形導電形式を有するBi-Te系半導体に接する介在層が電極に接続され、この介在層は、Al、TiおよびMgから成るグループのうちの1またはそれらの合金であることを特徴とする熱電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 35/08 , H01L 23/38 , H01L 35/16 , H01L 35/32

FI (4件)：

H01L 35/08 , H01L 23/38 , H01L 35/16 , H01L 35/32 A

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