特許
J-GLOBAL ID：200903035246662197
半導体装置の素子分離領域の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145019
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339994
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 粒子状の異物残査を低減し、よりシンプルな層構造の膜を用いて、均一かつ一様なLOCOS酸化ができ、しかもバーズビーク長の制御も容易であり、工程数の削減を図ることができる素子分離領域の形成方法を提供すること。【構成】 まず、半導体基板上にパッド層22を成膜した後、フォトリソグラフィー加工を行って開口部を形成する。次の結晶成長工程では、この開口部に単結晶シリコン層24を選択的に成長させる。つぎに、パッド層22および単結晶シリコン層24を覆うように、酸化マスク層26を成膜した後、フォトリソグラフィー加工により単結晶シリコン層24の一部を表面に露出させる。そして、単結晶シリコン層24の露出表面側から、半導体基板20内にかけて熱酸化を行うことにより、素子分離領域28を形成する。その後、酸化マスク層26を除去すると、素子分離領域28の形成工程が終了する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に、パッド層を成膜した後、該パッド層をフォトリソグラフィー加工して、半導体基板表面の一部を表面に露出させる開口部を形成する工程と、前記パッド層に形成した前記開口部に、単結晶シリコン層を選択的に成長させる工程と、前記パッド層および選択成長された単結晶シリコン層を覆うように、酸化マスク層を成膜した後、該酸化マスク層をフォトリソグラフィー加工して、単結晶シリコン層の一部を表面に露出させる工程と、前記単結晶シリコン層の露出した表面側から、半導体基板内にかけて熱酸化を行うことにより、素子分離領域を形成する工程とを少なくとも有する半導体装置の素子分離領域の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/316 X
, H01L 21/76 M
