特許
J-GLOBAL ID：200903035252287098
硫黄がドープされたレーザーによってミクロ構造化された表面層を有するシリコンベースの検出器製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
加藤 公延
, 田澤 英昭
, 濱田 初音
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-533655
公開番号（公開出願番号）：特表2008-515196
出願日： 2005年09月23日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】放射線吸収半導体ウェハーの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の放射線吸収半導体ウェハーの製造方法は、複数の一時的な短いレーザーパルス、例えば、フェムト秒パルス、で、シリコン基板、例えば、nドープされた結晶シリコン、の少なくとも一つの表面の位置を照射し、同時に、電子供与性の成分を有する、例えば、SF6のような物質にその位置を露出させて、所定の濃度の電子供与性の成分、例えば、硫黄、を組み込んだ実質的に不規則な表面層(すなわち、ミクロ構造化された層)を生み出す。基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例えば、基板は、ほぼ500Kからほぼ1000Kまでの範囲内の温度で焼き鈍しされてよい。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
放射線吸収半導体構造を製造する方法において、
シリコン基板の表面の複数の位置の各々を一つ以上のフェムト秒レーザーパルスで照射すると同時に、前記表面を、硫黄を含有する物質に露出して、前記基板の表面層に複数の硫黄含有物を生み出す過程と、
前記基板を、ほぼ数秒からほぼ数時間までの範囲内の期間に亘って、ほぼ500Kからほぼ1100Kまでの範囲内の温度で、焼き鈍しする過程と、
を具備する、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2G088GG21
, 2G088JJ37
, 5F088AA02
, 5F088AB03
, 5F088BA18
, 5F088CB20
, 5F088GA04
, 5F088LA07
, 5F172NN17
, 5F172ZZ01
