磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314949
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152367
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【解決手段】基板上に無電解めっき法により形成されたCoNiFeB系膜下地層、直接又は中間層を介して垂直磁気記録層、必要に応じて保護層が設けられた磁気記録媒体であって、下地層の厚さが2000nm以下、かつ飽和磁束密度Bsと厚さδとの積が1.5×10-7T・m以上である磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置、並びに基板上に無電解めっき法によりCoNiFeB系膜下地層、中間層、垂直磁気記録層、保護膜を設けた磁気記録媒体の下地層、中間層、垂直磁気記録層及び保護層から選ばれる1つ以上の層の成膜後において、平滑化処理を施す磁気記録媒体の製造方法。【効果】高い保磁力Hc、かつ低い核発生磁界Hnを有すると共に、熱安定性が高く、ノイズ特性に優れ、高密度記録が可能な磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に触媒化処理又は金属核若しくはシード層を形成することにより無電解めっきに触媒活性を有する面が形成され、その上に無電解めっき法により形成されたCoNiFeB系軟磁性膜からなる下地層が設けられ、その上に直接又は中間層を介して磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁気記録層が設けられ、更にその上に必要に応じて保護層が設けられた磁気記録媒体であって、上記下地層の厚さδが2000nm以下、かつ飽和磁束密度Bsと厚さδとの積Bsδが1.5×10-7T・m以上であることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (7件)：

G11B5/667 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/673 , G11B5/84 , G11B5/858 , H01F10/16

FI (7件)：

G11B5/667 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/673 , G11B5/84 A , G11B5/858 , H01F10/16

Fターム (23件)：

5D006BB01 , 5D006BB07 , 5D006CA03 , 5D006CA05 , 5D006DA03 , 5D006DA08 , 5D006EA02 , 5D006EA03 , 5D006FA09 , 5D112AA04 , 5D112AA05 , 5D112AA24 , 5D112BB05 , 5D112BD03 , 5D112EE01 , 5D112EE02 , 5D112FA04 , 5D112GA09 , 5D112GA14 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA08 , 5E049CB01

引用特許：

審査官引用 (10件)

軟磁性薄膜およびその製造方法ならびに無電解めっき浴
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-024747 出願人：逢坂哲彌, ティーディーケイ株式会社
特開平4-196402
垂直磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003309 出願人：日本電気株式会社

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