特許
J-GLOBAL ID：200903035265007663
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262277
公開番号（公開出願番号）：特開平5-119480
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトフォトマスクの位相シフターに相当するパターンを、基板に塗布したレジストの上に直接形成することにより、超微細なレジストパターンを形成する。【構成】 g線にて露光、現像して上層レジストパターン10を得、i線ステッパによりソース電極4とドレイン電極5の間の下層レジスト膜8を露光すると、上層レジストパターン10がi線12に対する位相シフト層として作用し、上層レジストパターン10のエッジ部が微細な遮光部となり、下層レジスト膜8のそれ以外の部分が感光される。下層レジスト膜8を現像すると、超微細なゲート用レジストパターン16が作成される。
請求項（抜粋）：
基板上へ感光波長特性又は感光電離放射線特性の異なる2種以上のレジストを順次塗布し、順次異なる波長の光又は電離放射線を用いて各レジスト層を露光し、パターニングして行くことを特徴とするレジストパターンの形成方法において、前記基板上へ2層のレジストを塗布し、上層レジストのパターニング後に、可視光、紫外線又はX線を用いて下層レジストを露光するようにし、その露光の際に、該上層レジストパターンを該可視光、紫外線又はX線に対する位相シフト層として利用することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/11
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 361 S
