特許

J-GLOBAL ID：200903035269024503

静電容量型圧力センサの製造方法

発明者： 三浦 清
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313996
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124471
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 センサチップのダイアフラム部の形成工程において、エッチング溶液による陽極接合部のエッチングを減少させることにより、圧力センサの感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサを安定的製造する方法を提供する。【解決手段】 静電容量型圧力センサの製造方法において、シリコン基板を途中段階までTMAHエッチング溶液を用いてエッチングし、ダイアフラム部形成の途中構造まで形成した後、ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合し、その後、更に前記シリコン基板をエッチング溶液を用いてエッチングして、ダイアフラム部を形成する。

請求項（抜粋）：

電極部が形成された第1の基板と、圧力に応じて変形するダイアフラム部が形成された第2の基板とを有し前記ダイアフラム部と前記電極部とがギャップを介して互いに対向するように前記第1の基板及び第2の基板とが接合されて空洞部を形成し、静電容量を持ったセンサチップを備えた静電容量型圧力センサの製造方法において、前記第2の基板を途中段階までエッチング溶液を用いてエッチングし、ダイアフラム部形成の途中構造まで形成し、前記第2の基板を前記第1の基板と陽極接合し、その後、更に前記第2の基板をエッチング溶液を用いてエッチングして、ダイアフラム部を形成することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/12 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 9/12 ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/306 L

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112DA04 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10