特許
J-GLOBAL ID：200903035269082333
半導体素子搭載用装置の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130713
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326747
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 高度な位置合わせ精度を必要とせず、一般的なめっき法で段付部を有する半導体素子搭載用装置を提供する。【構成】 配線を形成した複数枚の有機系基板を、所定の位置に底面が平坦な凹部10を形成しながら積層して段付部を有する多層配線板を形成し、かつ凹部10以外の任意の個所に貫通孔9を形成し、貫通孔9にめっきを施して半導体素子搭載用装置を製造する方法において、有機系基板4、4′を積層後、最外側を耐薬品性の樹脂フィルム1、1′で被覆し、ついで、貫通孔9′を形成し、貫通孔9にめっき被膜8を形成した後、前記樹脂フィルム1、1′を剥離する。
請求項（抜粋）：
配線を形成した複数枚の有機系基板を、所定の位置に底面が平坦な凹部を形成しながら積層して段付部を有する多層配線板を形成し、かつ凹部以外の任意の個所に貫通孔を形成し、貫通孔にめっきを施して半導体素子搭載用装置を製造する方法において、有機系基板を積層後、最外側を耐薬品性の樹脂フィルムで被覆し、ついで貫通孔を形成し、貫通孔にめっき被覆を形成した後、前記樹脂フィルムを剥離して、電気的に導通する貫通孔を形成することを特徴とする半導体素子搭載用装置の製造法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 L
