特許

J-GLOBAL ID：200903035270931476

化合物半導体の結晶成長法およびこれを用いたオーミックコンタクトの形成法

発明者： 渡邉 則之 ,  入戸野 巧
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053778
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267867
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体の結晶成長法およびこれを用いたn型半導体に対するオーミックコンタクトの形成法を提供する。【構成】 n型の導電型を有する第1の半導体層に対し、当該第1の半導体層と同じ導電型を有するインジウムガリウム砒素(InGaAs)と電極金属で構成する非合金のオーミックコンタクトの形成法において、上記InGaAs層を、In組成を0から徐々に増加させた組成傾斜層3とIn組成が均一な組成均一層4とから構成すると共に、上記InGaAs層を、トリエチルガリウム(TEG)とトリメチルインジウム(TMI)とアルシン(AsH3)とを原料としてエピタキシャル成長する方法で形成する。

請求項（抜粋）：

トリエチルガリウム(TEG)とトリメチルインジウム(TMI)とアルシン(AsH3)とを原料としてインジウムガリウム砒素(InGaAs)結晶をエピタキシャル成長することを特徴とする化合物半導体の結晶成長法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/28 301