特許
J-GLOBAL ID：200903035272850287
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-185385
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005646
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】トリミングデータ書き込みまたは消去時の不良を未然に防止する。 【解決手段】本集積回路1Aは、機能回路ブロック2と、そのトリミング時にトリミングデータが格納される不揮発性メモリ3と、不揮発性メモリ3内でメモリトランジスタ3Aのゲートに接続されている制御線WLに対し、カソードとアノードの一方ノードが接続されている過昇温検出用のダイオードDと、ダイオードDの他方ノードをトリミングデータ格納時にオープン状態とし、過昇温検出時に、適正温度範囲でダイオードDがオフし過昇温でオンする値の順バイアス電圧Vfbを制御線WLと他方ノードとの間に印加するための電圧印加手段(2つの外部リード端子10A,10C)と、を有する。当該集積回路1Aは、電圧印加手段に流れる電流により過昇温を検出可能である。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
機能回路ブロックと、
前記機能回路ブロックのトリミング時にトリミングデータが格納される不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリ内でメモリトランジスタのゲートに接続されている制御線に対し、カソードとアノードの一方ノードが接続される過昇温検出用のダイオードと、
過昇温検出時に、適正温度範囲で前記ダイオードがオフし過昇温でオンする値の順バイアス電圧を前記制御線と前記他方ノードとの間に印加するための電圧印加手段と、を有し、
前記電圧印加手段に流れる電流により過昇温を検出可能な
半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F038AV02
, 5F038AV10
, 5F038AZ08
, 5F038BB07
, 5F038BE04
, 5F038BH04
, 5F038BH16
, 5F038DF05
, 5F038EZ20
