特許
J-GLOBAL ID:200903035273490420

半導体装置及びその半導体装置を実装したガラスエポキシ基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-332875
公開番号(公開出願番号):特開平9-172103
出願日: 1995年12月21日
公開日(公表日): 1997年06月30日
要約:
【要約】【課題】ガラスエポキシ基板及びハンダを熱処理することにより、ガラスエポキシ基板とプリント基板を電気的に接続するリフロー時に起こる、パッケージクラックを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】ガラスエポキシ基板1のICチップ2の収納部に貫通穴8を形成し、マザーボード7の上にペースト状のハンダ6を塗布し、ガラスエポキシ基板1及びハンダ6を熱処理することにより、ガラスエポキシ基板1とマザーボード7を電気的に接続するリフロー工程時に、ICチップ下にたまる水分を前記貫通穴8から排出させる。また、ガラスエポキシ基板1とICチップ2とを接続する接着剤として、フィルムタイプの接着剤を用いる。
請求項(抜粋):
ICチップと、このICチップの収納部に貫通穴を形成したガラスエポキシ基板と、このガラスエポキシ基板と前記ICチップを接続する接着剤とを具備したことを特徴とする半導体装置。

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