特許

J-GLOBAL ID：200903035276156989

半導体装置の電気特性検査装置およびその製造方法

発明者： 座間 悟 ,  加賀 靖久
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283840
公開番号（公開出願番号）：特開平10-132895
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 ピン型プローブの高さが揃い、半導体装置の電極との導通が良好になされる信頼性の高い半導体装置の電気特性検査装置を提供する。【解決手段】 複数のピン型プローブ10が、基板20の複数の電極21上にそれぞれほぼ直立して半田31により固定された半導体装置41の電気特性検査装置30において、ピン型プローブ10の基板20からの高さが、ピン型プローブ10と電極21とを接合する半田31の厚みにより調整されている半導体装置41の電気特性検査装置30。【効果】 ピン型プローブの基板からの高さを、ピン型プローブと電極とを接合する半田の厚みにより均一に揃えることができ、従って半導体装置の電極(半田ボールなど)との電気的接続を均等にでき、検査の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

複数のピン型プローブが、基板の複数の電極上にそれぞれほぼ直立して半田により固定された半導体装置の電気特性検査装置において、前記ピン型プローブの基板からの高さが、ピン型プローブと電極とを接合する半田の厚みにより調整されていることを特徴とする半導体装置の電気特性検査装置。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 31/26 J ,  G01R 1/073 D ,  H01L 21/66 D