スイッチング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：松本武彦 (外1名) , 松本武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169192
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190019
出願日： 1989年02月23日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】一つの半導体基板上にスイッチング素子と受光素子を形成でき(ワンチップ化)、受光素子や制御回路用各素子の最適化、受光素子構造の多様化も実行し易い設計自由度の大きいスイッチング装置を提供する。【解決手段】半導体基板2に、受光素子DAIとそれの発生電力により駆動されるスイッチング素子TIと、その制御回路とを備えたスイッチング装置である。n型半導体基板2は表面部分に離間して複数のp型領域を有し、これらp型領域内に基板と同じn型の島を有している。スイッチング素子TIは複数のp型領域中の第1のp型領域内のn+型島をソース6aとし、第1領域外の領域をドレインとすることで、前記島と前記外の領域で挟まれた部分にチャネルが形成されるようなFETである。制御回路は第1のp型領域から離間した第2のp型領域内の二島をソースとドレインとするFETを含んでいる。絶縁膜20上に半導体膜を積層し受光素子を作る。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、光を受けて電力を発生する受光素子と、この受光素子が発生する電力により駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を制御する制御回路とを備えたスイッチング装置において、前記受光素子が前記半導体基板表面に半導体薄膜で積層形成された光電変換層により電力を発生するものであり、前記半導体基板がその表面部分に複数の逆導電型領域を互いに離間させて有するとともにこれら逆導電型領域内に半導体基板と同一の導電型の島を有するものであり、前記スイッチング素子が前記複数の逆導電型領域のうちの一部たる第1の逆導電型領域内の島をソースとし前記第1の逆導電型領域外の領域をドレインとすることにより当該第1の逆導電型領域内における前記島と前記外の領域で挟まれた部分にチャネルが形成されるようになっているトランジスタであり、前記制御回路が前記第1の逆導電型領域から離間した第2の逆導電型領域内の二つの島をソース、ドレインとするトランジスタを含むものであることを特徴とするスイッチング装置。

IPC (5件)：

H01L 31/0248 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/14 , H01L 31/042

FI (4件)：

H01L 31/08 H , H01L 27/04 A , H01L 27/14 Z , H01L 31/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-051681
特開昭62-106660

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