特許

J-GLOBAL ID：200903035287521875

光電変換素子

発明者： 小杉 津代志 ,  笹倉 幸一
出願人/特許権者： スター精密株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340809
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 有用な光電変換素子を提供する。【解決手段】 この光電変換素子は、入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、pn接合は互いに隣接したp型NiO領域1p及びn型TiO2領域1nを備えており、光電変換効率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、前記pn接合は互いに隣接したp型NiO領域及びn型TiO2領域を備えることを特徴とする光電変換素子。

Fターム (6件)：

5F051AA07 ,  5F051BA03 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03