特許

J-GLOBAL ID：200903035292343187

導電性ポリシラン組成物

発明者： 大滝 俊之 ,  壁田 桂次 ,  今井 高史
出願人/特許権者： 東芝シリコーン株式会社
代理人 (1件)： 津国 肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119064
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310701
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 簡便な操作によって調製でき、成形性が良好で、劣化のない高導電性のケイ素系高分子組成物を提供する。【解決手段】 一般式PA13で示されるリン化合物を添加したポリシランに、酸化性物質をドーピングしたことを特徴とする導電性ポリシラン組成物およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式:PA13 (I)(式中、A1 は、たがいに同一でも異なっていてもよく、置換もしくは非置換の1価の炭化水素基、置換もしくは非置換のヒドロカルビルオキシ基、一般式-QPA22基(式中、Qは2価の炭化水素基を表し、A2 は置換もしくは非置換の1価の炭化水素基または置換もしくは非置換のヒドロカルビルオキシ基を表す)、水素原子、水酸基または塩素原子を表し、A1 のうち少なくとも1個は、置換もしくは非置換の1価の炭化水素基、置換もしくは非置換のヒドロカルビルオキシ基または一般式-QPA22基(式中、QおよびA2 は前述のとおり)である)で示されるリン化合物を添加したポリシランに、酸化性物質をドーピングしたことを特徴とする導電性ポリシラン組成物。

IPC (4件)：

C08L 83/16 ,  C08K 3/02 ,  C08K 3/16 ,  C08K 5/524

FI (4件)：

C08L 83/16 ,  C08K 3/02 ,  C08K 3/16 ,  C08K 5/524