特許
J-GLOBAL ID：200903035292613320
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 實三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255973
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 所望の素子性能を安定して確保できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 電極付基板17を洗浄した直後から第一層である正孔注入層の成膜を開始するまでの時間を、基板17の透明電極の表面の水の接触角が洗浄完了時の値から真空中で30°増加するまでの時間よりも短くする。また、n=1,2,3,...としたときに、第n層の成膜完了から第n+1層の成膜開始までの時間を、第n層の表面の水の接触角が成膜完了時の値から真空中で30°増加するまで時間よりも短くする。これにより、膜の界面の汚染を低減できるから、所望の素子性能を安定的に確保できる。
請求項（抜粋）：
基板上に電極を設けた電極付基板を洗浄してから、前記電極上に有機物層および対向電極を含む複数層の膜を真空中で順次成膜する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記電極付基板の洗浄完了から第一層の成膜開始まで時間を、前記電極の表面の水の接触角が洗浄完了時の値から真空中で30°増加するまでの時間よりも短くすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/10
, C23C 14/56 F
