特許

J-GLOBAL ID：200903035303888709

半導体デバイス製造装置

発明者： 桜井 哲真 ,  土肥 俊郎 ,  林 米次
出願人/特許権者： エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 ,  土肥 俊郎 ,  ロデール・ニッタ株式会社
代理人 (1件)： 辻本 一義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039049
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252110
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 低発塵化しうる半導体デバイス製造装置を提起すること。【構成】 半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、(メカノケミカル)ポリシングまたは(メカノケミカル)ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有すること。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、(メカノケミカル)ポリシングまたは(メカノケミカル)ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有することを特徴とする半導体デバイス製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-011199