特許
J-GLOBAL ID：200903035306022176
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247761
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106338
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 ベースの寄生抵抗成分を極力低減して高い直流電流増幅率を実現できるようにした横形バイポーラトランジスタを得る。【構成】 絶縁基板21の上面に低濃度n形単結晶シリコンからなる所定幅寸法で所定膜厚の薄膜半導体層24を形成する。ベース領域26部分に窓部を形成してp形不純物イオンを注入する。ベース領域26の表面を露出させた状態で選択的エピタキシャル成長法によりp形の高濃度単結晶シリコンを形成して高濃度ベース電極領域30を形成する。高濃度ベース電極領域30をマスクとして斜めイオン注入法によりエミッタ,コレクタ領域にn形不純物イオンを注入し、エミッタ領域25,低濃度コレクタ領域27,コレクタ領域28を形成する。高濃度ベース電極領域30は、ベース領域26との接触抵抗が小さく、バルク抵抗も小さいので、ベース電流の損失が低減され、電流増幅率が向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けた第1の導電形を有する薄膜半導体層に第2の導電形を有するベース領域を設け、そのベース領域を挟んだ両側の各領域をエミッタ領域およびコレクタ領域とすることにより横形バイポーラトランジスタとして機能する半導体装置において、前記ベース領域の上面部に選択的エピタキシャル成長により形成された前記第2の導電形を有する単結晶半導体からなる高濃度ベース電極領域を設けた構成としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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