特許
J-GLOBAL ID:200903035308871235
不揮発性メモリ装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-321379
公開番号(公開出願番号):特開平9-161489
出願日: 1995年12月11日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【課題】 信頼性を向上させるとともに、上位装置における処理速度の低下を招くことなく、高速にアクセス可能とする。【解決手段】 データ比較器13はデュアルポートRA11に記憶されているデータとフラッシュメモリ12に記憶されているデータとを先頭アドレスから最終アドレスまで順次比較する。データ比較器13はその比較でデータの不一致を検出すると、CPU14に対して割込み信号を出力する。CPU14は割込み信号が入力されると、データ比較器13から入力されたアドレスを含むフラッシュメモリ12の消去ブロックを消去し、その消去ブロックの範囲のデータをデュアルポートRAM11から読出してフラッシュメモリ12に書込む。不揮発性メモリ装置1に電源が投入されると、CPU14はフラッシュメモリ12の全データをデュアルポートRAM11に転送する。
請求項(抜粋):
上位装置からのデータを記憶するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリの容量と同一容量を持ちかつ前記上位装置からのデータを前記フラッシュメモリに記憶する前に一時格納する格納手段と、前記フラッシュメモリに記憶されたデータと前記格納手段に格納されたデータとを比較する比較手段と、前記比較手段で不一致が検出された時にその不一致が検出されたデータが記憶されている前記フラッシュメモリの領域に対する消去処理を行ってから前記格納手段内の対応するデータを前記領域に書込む手段とを有することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭61-249154
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車両制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-088665
出願人:日本電装株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-122568
出願人:株式会社日立製作所
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