窒化物系半導体の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019655
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224071
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上にクラックの発生しない高品質な窒化物系半導体または窒化物系半導体から構成される素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板上1に不純物添加したZnOバッファ層2を用いてAlxGayInzN(0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦z≦1, x+y+z=1)系半導体層3を成長する。これにより、c軸配向性が高くC面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ZnOバッファ層が形成でき、この上にSi基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

Si基板上に不純物添加したZnOバッファ層を用いてAlxGayInzN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x+y+z=1)系半導体を成長することを特徴とする窒化物系半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/20 , C23C 16/34 , C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F052JA07 , 5F052KA01 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073EA29

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