特許
J-GLOBAL ID：200903035313418646
ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221096
公開番号（公開出願番号）：特開平6-065744
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：
【要約】【目的】良質のダイヤモンド状炭素薄膜を基材に対する熱的影響の少ない低温で成膜する製造方法を提供する。【構成】200°C以下に保持された基材10の表面に、炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン共鳴法により励起し接触させて成膜する。
請求項（抜粋）：
200°C以下に保持された基材の表面に、炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン共鳴法により励起し接触させて成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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