特許
J-GLOBAL ID：200903035313801148
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073187
公開番号（公開出願番号）：特開平7-281414
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高精度な単層ハーフトーン型位相シフトパターン形成が可能なマスクブランク及びマスクとその製造方法を提供することを目的とする。【構成】透明基板(11)上に、タンタル、タンタル酸化物、窒化物などのいずれかからなる半透明遮光層(13)を形成し、その上にクロム、クロム酸化物、窒化物などのいずれかからなる導電層(15)を形成し、さらにその上にレジストパターン(18)を形成し、この導電層(15)をエッチングして導電層パターン(16)を形成し、前記レジストパターン(18)を剥離して、導電層パターン(16)をマスクとして半透明遮光層(13)をエッチングして、半透明遮光パターン(14)を形成したことを特徴とする単層ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
請求項（抜粋）：
透明基板上に半透明遮光層を有し、その上に導電層を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透明遮光層が、タンタル、タンタルの酸化物、タンタルの窒化物、あるいはタンタルの酸窒化物のうちいずれか一つよりなることを特徴とする単層ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
