特許

J-GLOBAL ID：200903035316382340

半導体素子の製造方法および半導体レーザ素子

発明者： 栗原 香
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190648
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 V族脱離、あるいはV族置換に起因する結晶性の低下、歪変成層の形成を防ぐ結晶の成長方法を得る。【解決手段】 複数の異なるV族元素を含む積層構造を有する半導体素子において、メサ側面に異なるV族元素により構成される層を露出させて有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を行う第1の結晶成長工程と、有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を用いて行う工程中の半導体基板の昇温時に、V族元素を含むガスより蒸気圧のより小さいV族原料を導入するV族原料導入工程と、有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を再度行う第2の結晶成長工程とを有して構成される。蒸気圧の小さいV族元素、例えばSbを表面に供給することによって安定な表面再配列構造が形成され、V族脱離、あるいはV族置換による結晶性の劣化を防ぐことが可能になる。

請求項（抜粋）：

複数の異なるV族元素を含む積層構造を有する半導体素子において、メサ側面に異なるV族元素により構成される層を露出させて有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を行う第1の結晶成長工程と、前記有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を用いて行う工程中の半導体基板の昇温時に、前記V族元素を含むガスより蒸気圧のより小さいV族原料を導入するV族原料導入工程と、前記有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を再度行う第2の結晶成長工程とを、有して構成されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227

FI (4件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227

Fターム (23件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EE11 ,  5F045HA12 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05