特許

J-GLOBAL ID：200903035316502621

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 中尾 隆 ,  綱島 祥隆 ,  見方 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090030
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302566
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】処理室内の複数枚の被処理半導体基板に対する還元剤の供給量を基板毎に独立に制御し、基板毎に適量の還元剤を同時に供給する方法を提供する。【構成】処理室内の複数枚の被処理半導体基板201の表面を還元ガスに反応させる際、各被処理基板の半導体装置作製面に対向して隣り合うように部材205を配置し、この部材の上記被処理基板に対向する面204における還元剤との反応を制御することによって上記部材に対向する被処理基板に供給される還元剤の量を制御し、各被処理基板における還元反応の進行を基板毎に制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理室内の複数枚の被処理半導体基板の表面を還元ガスに反応させる際、各被処理基板の半導体装置作製面に対向するように部材を配置し、この部材の上記被処理基板に対向する面における還元剤との反応を制御することによって上記部材に対向する被処理基板に供給される還元剤の量を制御し、各被処理基板における還元反応の進行を基板毎に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195041   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-188721
  
• 特開平4-334022
  
• 特開昭54-002670
  

審査官引用 (1件)

• 半導体基板表面もしくは薄膜表面のドライ洗浄法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195041   出願人：富士通株式会社