特許
J-GLOBAL ID:200903035316694016

ナノポアシリカ薄膜のためのポリオール系前駆体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-518972
公開番号(公開出願番号):特表2003-525847
出願日: 1998年10月26日
公開日(公表日): 2003年09月02日
要約:
【要約】本発明はナノポア誘導体被膜およびその製造プロセスに関し、係る被膜は集積回路の製造に有用である。該被膜はアルコキシシラン;水およびアルコキシシランと混和するC1〜C4のアルキレングリコールエーテルからなりヒドロキシル濃度が0.02mol/cm3またはそれ未満であり、沸点が常圧下で約175°C以上、平均分子量が約100以上である相対的に低揮発性な溶媒組成物;沸点が相対的に低揮発性な溶媒組成物の沸点よりも低い相対的に高揮発性な溶媒組成物;任意の水および任意の触媒量の酸とからなる前駆体から生成される。
請求項(抜粋):
ナノポアシリカ前駆体組成物であって、組成物が少なくとも一種類のアルコキシシランと、水およびアルコキシシランと混和するC1〜C4のアルキレングリコールエーテルからなりヒドロキシル濃度が0.021mol/cm3またはそれ未満であり、沸点が常圧下で約175°C以上、平均分子量が約100以上である少なくとも一種類の相対的に低揮発性な溶媒組成物と、沸点が相対的に低揮発性な溶媒組成物の沸点よりも低い少なくとも一種類の相対的に高揮発性な溶媒組成物と、任意の水および任意の触媒量の酸とを含むナノポアシリカ前駆体組成物。
IPC (4件):
C07F 7/04 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/312
FI (4件):
C07F 7/04 L ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/312 C
Fターム (36件):
4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072CC13 ,  4G072EE05 ,  4G072FF09 ,  4G072GG02 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ13 ,  4G072JJ23 ,  4G072JJ38 ,  4G072JJ47 ,  4G072KK01 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ21 ,  4H049VR44 ,  4H049VU24 ,  4H049VU36 ,  4H049VW02 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-045510
  • 特開平3-162470
  • 特開平3-188179

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