特許
J-GLOBAL ID：200903035317335974
強誘電体半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-158629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-325572
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】製造工程の簡易化を図れ、回路の複雑化を防止できる強誘電体半導体記憶装置を実現する。【構成】それぞれのメモリセルの電荷蓄積手段として機能する強誘電体膜FCと、この強誘電体膜の一方に接続され当該強誘電体膜の一方の側を所定の電位に保持するプレートと、強誘電体膜の他方の側に作動的に接続され、マトリクス上に強誘電体膜を選択するビット線BLおよびワード線WLとを有し、ワード線WLを選択駆動し、その後ビット線BLをプレートの保持電圧VC /2と異なる電圧、たとえばVC あるいは0Vで選択駆動するように構成した。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルの電荷蓄積手段として機能する強誘電体膜と、この強誘電体膜の第1面に接続され当該強誘電体膜の第1面を所定の電位に保持するプレートと、上記強誘電体膜の第2面に接続され、マトリクス状に強誘電体膜を選択するビット線およびワード線とを有し、上記ワード線を選択駆動し、ビット線を上記プレートの保持電圧と異なる電圧で選択駆動するように構成したことを特徴とする強誘電体半導体記憶装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
