特許

J-GLOBAL ID：200903035320701825

半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法

発明者： チャールズ・ターナー ,  ランディール・ピー・エス・タッカー
出願人/特許権者： マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-140710
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014797
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、表層部の面の粗いポリシリコン層と底部ポリシリコン層に、より均一なドーピングを施すことができる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法は、多結晶シリコン層(30)を、半導体基板(10)の他の層とは独立に、均一にドーピングする。本発明の方法においては、チャンバ内に、ポリシリコン層(15)の上に形成された二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する。ついで、二酸化シリコン層の上に、その場でドーピングを施した表面の粗いシリコン層(30)を形成する。これは、急熱化学蒸着法または低圧化学蒸着法により、二酸化シリコン層(20)の上にシリコン層(30)を蒸着し、このシリコン層(30)を、ソースガスとドーパントガス、およびエネルギーに曝すことによって、好ましくはその場で均一にドーピングされた底部ポリシリコン層(15)と表面の粗いポリシリコン層(30)を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半球粒状面性多結晶シリコン(30)に均一にドーピングする方法であって、チャンバ内に、第1のポリシリコン層(15)とこの第1のポリシリコン層(15)の上に二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する工程と、前記二酸化シリコン層(20)をそのままの状態において、この二酸化シリコン層(20)の上にアモルファスシリコン層(30)を蒸着する工程と、真空アニーリングによって、前記アモルファスシリコン層(30)の面を粗くする工程と、前記表面の粗いアモルファスシリコン層(30)をエネルギーとガスに曝すことによって、この表面の粗いアモルファスシリコン層(30)にドーピングを施す工程を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-278566
  
• 特開平3-263370
  
• 特開平4-127519
  
• 特開平4-196435