特許

J-GLOBAL ID：200903035323070877

絶縁膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276582
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127060
出願日： 1988年05月24日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 多層化するLSIチップ上面に生ずる凹凸を平坦化した高品質の絶縁膜をプラズマCVD法により形成する。【解決手段】 巾の異る凹部21・22を有するLSIチップ3の上面に異方性プラズマCVD法により絶縁膜30-1を形成し、等方性プラズマエッチング法により凹部の緩かな膜30-2を得る。再び異方性プラズマCVD法により絶縁膜30-3を成膜し、これを等方性プラズマエッチングして更に緩かな面の絶縁膜30-4を得る。これを繰して平坦な絶縁膜30-5とする。

請求項（抜粋）：

被形成面上に異方性プラズマCVD法により絶縁膜を形成し、前記絶縁膜を等方性プラズマエッチング法によりエッチングすることを特徴とする絶縁膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/302 C