半導体の電極

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281653
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115185
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 GaAs等の化合物半導体に対するオーミック電極の半田付け性及びオーミック性を改善する。【構成】 GaAs半導体1の上に、AuGeNi層2とMo層5とMo酸化物層6とMo層7とNi層8とAu層9とを順次に設ける。Mo酸化物層6はNi及びGeの拡散を防止する。この結果、オーミック性、及び半田付け性の劣化が生じない。

請求項（抜粋）：

半導体の表面に形成されたオーミックコンタクト金属層と、前記オーミックコンタクト金属層の上に形成されたモリブデン酸化物層と、前記モリブデン酸化物層の上に形成された半田付け性の良い金属層とから成る半導体の電極。

前のページに戻る