特許
J-GLOBAL ID:200903035333092747

フォトマスクブランク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-512242
公開番号(公開出願番号):特表平8-503557
出願日: 1993年11月12日
公開日(公表日): 1996年04月16日
要約:
【要約】少なくとも0.001の透過度を持ち、金属成分と誘電体成分との組合せを主成分とする光学的に不均質な減衰膜から成る、透過性埋込移相器-フォトマスクブランクを開示する。該膜の一方の表面は他方の表面より高い金属成分含量を持ち、消衰係数の変化状態は膜の厚さ方向に徐々である。該消衰係数の変化状態と膜厚は選ばれた波長で約180°(またはその奇数倍)の位相偏移を与えるように選ばれる。
請求項(抜粋):
少なくとも0.001の透過度を持ち、金属成分と誘電体成分との組合せを主成分とする光学的に不均質な減衰膜から成る、選ばれた波長用の透過性埋込移相器-フォトマスクブランクにおいて、該膜の一方の表面は他方の表面より高い金属成分含量を持ち、消衰係数の変化状態は膜の厚さ方向に徐々であり、該変化状態と膜厚は該選ばれた波長で約180 ゚またはその奇数倍の位相偏移を与えるように選ばれることを特徴とする透過性埋込移相器-フォトマスクブランク。
IPC (2件):
G03F 1/14 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-242252
  • 特開平2-242252
  • 特開平2-242252

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