集束イオンビームによるパターン修正方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344588
公開番号（公開出願番号）：特開平5-204135
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、集束イオンビームによるパターン修正方法に関し、集束イオンビームによる欠陥パターン修正の際に、修正する欠陥パターンの周辺のパターンへの再付着の問題を回避して、パターンの寸法精度の劣化を防止する優れたパターン修正方法を提供することを目的とする。【構成】本発明のパターン修正方法は、修正すべき欠陥パターンを集束イオンビームで除去する場合に、修正すべき欠陥パターンに隣接するパターンからより離れた領域から先に除去し、さらに順次隣接するパターンにより近い領域へと除去してゆく工程を含むように構成する。あるいは、修正すべき欠陥パターンに隣接するパターンに近い周辺部を残して除去し、さらに、その後、該周辺部を除去する工程を含むように構成する。

請求項（抜粋）：

基板(5)上に形成された被加工物の欠陥パターン(11)を集束イオンビーム(3)を照射して除去して修正する方法であって、修正すべき欠陥パターン(11)を前記集束イオンビーム(3)で除去する場合に、該修正すべき欠陥パターン(11)に隣接するパターン(10)からより離れた領域から、該隣接するパターン(10)により近い領域の順に除去してゆく工程を含む集束イオンビームによるパターン修正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01J 37/30 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 W , H01L 21/30 331 M

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