特許

J-GLOBAL ID：200903035336163505

ヘテロエピタキシャル半導体結晶構造体、その製造方法、その製造装置、半導体発光素子およびこれを用いた光ディスク装置

発明者： 辻村 歩 ,  西川 孝司 ,  佐々井 洋一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236346
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083999
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 III-V族半導体基板上に形成されたII-VI族半導体レーザにおいて、バッファ層とII-VI族半導体レーザ構造との成長室を分離することで、欠陥密度を低減させ、動作寿命を伸長させる。【解決手段】 第1の成長室302においてn型GaAs基板上にn型GaAsバッファ層を形成する。引き続きZnTeバッファ層を形成した後、基板移送室303を経て第2の成長室304に搬送する。第2の成長室304においてZnMgSSe系材料を用いたII-VI族半導体レーザ構造を形成する。

請求項（抜粋）：

III-V族半導体結晶上にZnTe層が形成されており、その上に少なくとも1層以上のII-VI族半導体結晶層が形成されていることを特徴とするヘテロエピタキシャル半導体結晶構造体。

IPC (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18