特許

J-GLOBAL ID：200903035339774882

光センサー

発明者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹 ,  上田 寛
出願人/特許権者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-332745
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172166
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる簡便で高感度な光センサーを提供する。【解決手段】センサーの基本となる部分は、Nb,Ta,As,Sb,W、または、Laを少量ドープしてn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO2)またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)上に、遷移金属酸化物として、二酸化バナジウム(VO2)、三酸化二バナジウム(V2O3)、二酸化クロム(CrO2)、マンガン、鉄 、コバルト、ニッケルを含むペロブスカイト型酸化物(ABO3:AはY、希土類元素、Tl、Pb、Bi、Ba,Sr,Caの単体または固溶体、BはMn、Fe、Co、または、Ni)、銅酸化物(AxCuOy:AはLa,Y,Bi,Tl,Pb,Pr,Nd,Ba,Sr,Caの単体または固溶体)、または、二酸化ルテニウム(RuO2)がエピタキシャル成長している。本センサーは、紫外光照射下において光伝導セルまたはフォトダイオードとしての機能する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

n型半導体特性を有するチタンを含む酸化物に、遷移金属酸化物薄膜を積層することで形成されるヘテロ接合を備えたことを特徴とする光センサー。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (4件)：

5F049MA03 ,  5F049MB01 ,  5F049NA01 ,  5F049PA20