特許
J-GLOBAL ID：200903035341403441
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149539
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342892
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュメモリにおける消去動作を改良した不揮発性半導体記憶装置に関し、メモリセルの任意の1ビット消去を行えるようにすることを目的とする。【構成】 フローティングゲートを有する複数のメモリセル用MISトランジスタMCで構成し、該各フローティングゲートの電荷状態によりそれぞれ2値の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、前記各メモリセル用MISトランジスタMCのソースを各ビット線毎に設けられるソース線SL1 〜SLm に接続し、該各ソース線SL1 〜SLm にそれぞれ電圧制御回路VC1 〜VCm を接続するように構成する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートを有する複数のメモリセル用MISトランジスタ(MC)で構成し、該各フローティングゲートの電荷状態によりそれぞれ2値の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、前記各メモリセル用MISトランジスタ(MC)のソースを各ビット線毎に設けられるソース線(SL1〜SLm ) に接続し、該各ソース線(SL1〜SLm ) にそれぞれ電圧制御回路(VC1〜VCm ) を接続するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
