半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274389
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】MOSトランジスタのエクステンションの接合深さを容易に浅くできるプロセスを実現すること。【解決手段】シリコン基板1上に多結晶シリコン膜4を形成し、その上に通常通りにダミーゲート7,8、ゲート側壁絶縁膜9を形成する。次にダミーゲート7,8、ゲート側壁絶縁膜9をマスクに用いてイオン注入を行い、通常とは逆に深いソース/ドレイン領域11p,11nを先に形成する。この後、深いソース/ドレイン領域11p,11n中の不純物を活性化するための高温熱処理を行う。このとき、ソース/ドレイン領域11p,11n中の不純物が多結晶シリコン膜4を介してゲート側壁絶縁膜9下の基板表面に固相拡散し、非常に浅く急峻な濃度プロファイルを持つエクステンション13p,13nが形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の側壁に形成された側壁絶縁膜と、この側壁絶縁膜と前記半導体基板との間に形成された多結晶半導体膜と、この多結晶半導体膜下の前記半導体基板の表面に形成され、ソース/ドレイン領域の一部を構成する拡散領域とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 27/08 321 E , H01L 27/08 321 D , H01L 29/46 R , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 J

Fターム (128件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD11 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104DD80 , 4M104DD82 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF01 , 4M104FF16 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F040DA10 , 5F040DA13 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EF11 , 5F040EH02 , 5F040EJ03 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040EL02 , 5F040FA02 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FA09 , 5F040FA10 , 5F040FB01 , 5F040FB03 , 5F040FB05 , 5F040FC06 , 5F040FC10 , 5F040FC19 , 5F040FC21 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB00 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF00 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA24 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA29 , 5F048DA30 , 5F048DB01 , 5F048DB02 , 5F048DB03 , 5F048DB06 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110EE50 , 5F110FF01 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK32 , 5F110HK39 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

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