特許
J-GLOBAL ID:200903035343526729

フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-280462
公開番号(公開出願番号):特開2005-043835
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【解決手段】 基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上面の帯状領域の最小自乗平面から帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板。【効果】 本発明の基板は、ウェハー露光時に良好な表面平坦形状を示すものであり、この基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、基板表面の反りが小さく平坦性の高い状態となりウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することが可能である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク用基板。
IPC (2件):
G03F1/14 ,  H01L21/027
FI (2件):
G03F1/14 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (3件):
2H095BB03 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る